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作者: 风行物联          阅读量: 1956

中国移动物联网专用卡技术指标分级

 

1.分级原则

由于各行业应用环境差异较大,对m2m专用卡各项指标要求也不尽相同,通过对各行业普

遍关注的技术指标进行分类汇总,并根据技术指标差异给出各级指标量化参数(如t1 –

t2 – h1 – c1 -„ - n1)。

注意:对于本标准未定义的指标要求,需根据具体行业需求另行规定。

           表1 技术指标定义列表

指标代码

指标项

阐述要点

t

操作和存储温度

2

h

湿度

3

c

腐蚀

4

v

震动

5

a

模块附着力

6

r

数据保存时间

7

e

擦写次数

8

m

抗电磁干扰

9

x

抗x光

10

s

抗静电

11

 

2. 操作和存储温度

普通sim卡的操作及存储温度标准范围是:-25°c~85°c。

m2m专用卡温度分为七个等级,分别是t1,t2,t3,t4,t5,t6,t7各等级的温度范围

如下表所示:

      表2 温度指标列表

温度级别

指标要求

t1

-25 to 85°c

t2

-40 to 85°c

t3

-40 to 105°c

t4

-40 to 125°c

t5

-65 to 125°c

t6

-65 to 150°c

t7(存储温度)

-65 to 300°c

 

满足以上级别要求的m2m专用卡应保证:卡片暴露在温度范围规定的最高温度或者最低

温度下1000小时,卡的操作正常且存储正常(t7只要求存储温度)。

 

3. 湿度

湿度目前分为两个等级,指标要求如下表所示:

        表3 湿度指标列表

湿度级别

指标要求

h1

在 50 度 温 度 , 相 对 湿 度 范 围

90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。

h2

在 85 度 温 度 , 相 对 湿 度 范 围

90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。

 

 

4. 腐蚀

腐蚀目前只有一个等级为c1,指标要求如下表所示:

        表4 腐蚀指标列表

湿度级别

指标要求

c1

在5%盐度(nacl)的环境下存储至

少24小时,卡的操作和存储正常。

 

 

5. 震动 

震动分为三个等级,分别是v1,v2,v3,各等级的震动范围如下表所示:

      表5 震动指标列表

震动级别

指标要求

v1

5hz to 500hz

v2

10hz to 1000hz

v3

20hz to 2000hz

 

满足以上级别要求的m2m专用卡应保证:在以上等级的震动环境下至少2小时,卡的操作

和存储正常。

对于加速度、振幅等的详细要求参见附录b。

针对v1的指标等级范围是附录b中的等级3~8;针对v2的指标等级范围是附录b中等级2;

针对v3的指标等级范围是附录b中的等级1。

 

6. 附着力 

附着力目前只有一个等级为a1,指标要求如下表所示:

       表6 附着力指标列表

附着力级别

指标要求

a1

对卡施加60n的拉力并持续1分钟,

模块不应从卡上分离,卡的操作和

存储正常。

 

 

7. 数据保存时间 

数据保存时间是指在无源储存情况下的数据保存时间,不包括由于对m2m专用卡的擦写6

操作导致卡片数据损坏的情况。

数据保存时间分为四个等级,分别是r1,r2,r3,r4,各等级的指标要求如下表所示:

     表7 数据保存时间指标列表

数据保存时间级别

指标要求

r1

10年

r2

15年

r3

20年

r4

25年

 

在每个时间指标下,根据最高存储温度范围,可分为85°c、105°c、125°c三个等级。

 

8. 擦写次数 

擦写次数是指通过update指令(参见ts102.221)更新m2m专用卡内数据,保证m2m专用卡

可以正常擦写和读取的最小次数。在对m2m专用卡进行重复擦写数据存储区的情况下,保证

某些常用文件(例如sms)和数据不会因频繁操作而导致损坏。

卡片擦写次数分为四个等级,分别是e1,e2,e3,e4,各等级的指标要求如下表所示:

      表8 擦写次数指标列表

擦写次数级别

指标要求

e1

10万次

e2

50万次

e3

100万次

e4

500万次

 

 

9. 抗电磁干扰 

抗电磁干扰分为两个等级,指标要求如下表所示:

       表9 抗电磁干扰指标列表

电磁级别

指标要求

m1

在卡暴露在稳定的79500a/m (1000qe)磁场下,不应降低卡片功能。

m2

在 卡 暴 露 在 稳 定 的640000a/m(1000qe)磁场下, 不应降低卡片功能。

 

 

10. 抗 x 光(紫外线)

x光(紫外线)分为1个等级,指标要求如下表所示:

        表10 抗x光指标列表

电磁级别

指标要求

x1

在卡的任何一面每边在受到0.1gy 剂 量 , 相 当 于 70 ~ 140kev中等能量x射线照射时(一年的累计剂量),不应降低卡片功能。

 

 

11. 抗静电 

抗静电分为三个等级,指标要求如下表所示:

         表11 抗静电指标列表

静电级别

指标要求

s1

在卡暴露在2000v的静电环境中,不应降低卡片功能。

s2

在卡暴露在4000v的静电环境中,不应降低卡片功能。

s3

在卡暴露在8000v的静电环境中,不应降低卡片功能。

 

 

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