中国移动物联网专用卡技术指标分级
1.分级原则
由于各行业应用环境差异较大,对m2m专用卡各项指标要求也不尽相同,通过对各行业普
遍关注的技术指标进行分类汇总,并根据技术指标差异给出各级指标量化参数(如t1 –
t2 – h1 – c1 -„ - n1)。
注意:对于本标准未定义的指标要求,需根据具体行业需求另行规定。
表1 技术指标定义列表
指标代码 | 指标项 | 阐述要点 |
t | 操作和存储温度 | 2 |
h | 湿度 | 3 |
c | 腐蚀 | 4 |
v | 震动 | 5 |
a | 模块附着力 | 6 |
r | 数据保存时间 | 7 |
e | 擦写次数 | 8 |
m | 抗电磁干扰 | 9 |
x | 抗x光 | 10 |
s | 抗静电 | 11 |
2. 操作和存储温度
普通sim卡的操作及存储温度标准范围是:-25°c~85°c。
m2m专用卡温度分为七个等级,分别是t1,t2,t3,t4,t5,t6,t7各等级的温度范围
如下表所示:
表2 温度指标列表
温度级别 | 指标要求 |
t1 | -25 to 85°c |
t2 | -40 to 85°c |
t3 | -40 to 105°c |
t4 | -40 to 125°c |
t5 | -65 to 125°c |
t6 | -65 to 150°c |
t7(存储温度) | -65 to 300°c |
满足以上级别要求的m2m专用卡应保证:卡片暴露在温度范围规定的最高温度或者最低
温度下1000小时,卡的操作正常且存储正常(t7只要求存储温度)。
3. 湿度
湿度目前分为两个等级,指标要求如下表所示:
表3 湿度指标列表
湿度级别 | 指标要求 |
h1 | 在 50 度 温 度 , 相 对 湿 度 范 围 90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。 |
h2 | 在 85 度 温 度 , 相 对 湿 度 范 围 90%~95%,1000小时的条件下,可以保证卡的操作和存储正常。
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4. 腐蚀
腐蚀目前只有一个等级为c1,指标要求如下表所示:
表4 腐蚀指标列表
湿度级别 | 指标要求 |
c1 | 在5%盐度(nacl)的环境下存储至 少24小时,卡的操作和存储正常。 |
5. 震动
震动分为三个等级,分别是v1,v2,v3,各等级的震动范围如下表所示:
表5 震动指标列表
震动级别 | 指标要求 |
v1 | 5hz to 500hz |
v2 | 10hz to 1000hz |
v3 | 20hz to 2000hz |
满足以上级别要求的m2m专用卡应保证:在以上等级的震动环境下至少2小时,卡的操作
和存储正常。
对于加速度、振幅等的详细要求参见附录b。
针对v1的指标等级范围是附录b中的等级3~8;针对v2的指标等级范围是附录b中等级2;
针对v3的指标等级范围是附录b中的等级1。
6. 附着力
附着力目前只有一个等级为a1,指标要求如下表所示:
表6 附着力指标列表
附着力级别 | 指标要求 |
a1 | 对卡施加60n的拉力并持续1分钟, 模块不应从卡上分离,卡的操作和 存储正常。 |
7. 数据保存时间
数据保存时间是指在无源储存情况下的数据保存时间,不包括由于对m2m专用卡的擦写6
操作导致卡片数据损坏的情况。
数据保存时间分为四个等级,分别是r1,r2,r3,r4,各等级的指标要求如下表所示:
表7 数据保存时间指标列表
数据保存时间级别 | 指标要求 |
r1 | 10年 |
r2 | 15年 |
r3 | 20年 |
r4 | 25年 |
在每个时间指标下,根据最高存储温度范围,可分为85°c、105°c、125°c三个等级。
8. 擦写次数
擦写次数是指通过update指令(参见ts102.221)更新m2m专用卡内数据,保证m2m专用卡
可以正常擦写和读取的最小次数。在对m2m专用卡进行重复擦写数据存储区的情况下,保证
某些常用文件(例如sms)和数据不会因频繁操作而导致损坏。
卡片擦写次数分为四个等级,分别是e1,e2,e3,e4,各等级的指标要求如下表所示:
表8 擦写次数指标列表
擦写次数级别 | 指标要求 |
e1 | 10万次 |
e2 | 50万次 |
e3 | 100万次 |
e4 | 500万次 |
9. 抗电磁干扰
抗电磁干扰分为两个等级,指标要求如下表所示:
表9 抗电磁干扰指标列表
电磁级别 | 指标要求 |
m1 | 在卡暴露在稳定的79500a/m (1000qe)磁场下,不应降低卡片功能。 |
m2 | 在 卡 暴 露 在 稳 定 的640000a/m(1000qe)磁场下, 不应降低卡片功能。 |
10. 抗 x 光(紫外线)
抗x光(紫外线)分为1个等级,指标要求如下表所示:
表10 抗x光指标列表
电磁级别 | 指标要求 |
x1 | 在卡的任何一面每边在受到0.1gy 剂 量 , 相 当 于 70 ~ 140kev中等能量x射线照射时(一年的累计剂量),不应降低卡片功能。 |
11. 抗静电
抗静电分为三个等级,指标要求如下表所示:
表11 抗静电指标列表
静电级别 | 指标要求 |
s1 | 在卡暴露在2000v的静电环境中,不应降低卡片功能。 |
s2 | 在卡暴露在4000v的静电环境中,不应降低卡片功能。 |
s3 | 在卡暴露在8000v的静电环境中,不应降低卡片功能。 |